TOSHIBA LANCAR SIC MOSFET GENERASI KETIGA 650V DALAM PAKEJ DFN8X8

KAWASAKI, Jepun, 21 Mei (Bernama) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan empat MOSFET silikon karbida (SiC) 650V, yang dilengkapi dengan cip[¹] SiC MOSFET Generasi Ketiga terbaharunya dan dibungkus dalam pakej padat DFN8x8. Peranti ini sesuai untuk peralatan industri seperti bekalan kuasa mod suis dan penyaman kuasa bagi penjana fotovolta. Penghantaran volum bagi keempat-empat peranti, " TW031V65C,” “ TW054V65C,” “ TW092V65C,” dan “ TW123V65C,” bermula hari ini.

Produk baharu ini merupakan SiC MOSFET Generasi Ketiga pertama yang menggunakan pakej pemasangan permukaan bersaiz kecil DFN8x8, yang mengurangkan isipadu lebih daripada 90% berbanding pakej jenis penyisipan plumbum seperti TO-247 dan TO-247-4L(X), sekali gus meningkatkan ketumpatan kuasa peralatan. Pemasangan permukaan juga membolehkan penggunaan komponen impedans parasit[²] yang lebih kecil berbanding pakej penyisipan plumbum, seterusnya mengurangkan kehilangan pensuisan. DFN8x8 ialah pakej 4-pin[³] yang membolehkan penggunaan sambungan Kelvin pada terminal sumber isyarat untuk pemacu gerbang. Ini mengurangkan pengaruh induktans dalam wayar sumber di dalam pakej, lalu mencapai prestasi pensuisan berkelajuan tinggi. Bagi model TW054V65C, ini mengurangkan kehilangan semasa penghidupan kira-kira 55% dan kehilangan semasa penutupan kira-kira 25%[⁴] berbanding produk Toshiba sedia ada[⁵] , sekali gus membantu mengurangkan kehilangan kuasa dalam peralatan.